這兒表明變壓器T1的飽和是和主掌反激式工作的初級(jí)繞阻和次級(jí)繞組有關(guān)。T1內(nèi)置產(chǎn)生電源ic的電源VCC的第三繞阻(引腳4、5)，有關(guān)這點(diǎn)，須另行查驗(yàn)是否如設(shè)計(jì)般產(chǎn)生VCC。

　　*先，追憶變壓器的飽和。變壓器所使用的磁性材料(鐵、鐵氧體等)，具備飽和磁通密度的特性。流入變壓器的初級(jí)繞組的電流增加，磁場強(qiáng)度就會(huì)變大，磁通密度并非無盡增大，達(dá)到飽和點(diǎn)后，針對(duì)電流提升，磁束密度幾乎不會(huì)提升。此種情況稱為飽和磁化，此時(shí)的磁通密度便是飽和磁通密度。

　　超出飽和點(diǎn)后成為飽和磁化的狀態(tài)，稱為變壓器的飽和。對(duì)此，與電感相同。變壓器的飽和，除了不會(huì)提升磁通密度外，電感值反而會(huì)急劇減少。

　　當(dāng)電感值降低時(shí)，對(duì)于直流的電阻僅僅是變壓器的繞組的電阻。換句話說，變壓器飽和后將流過大電流。這是，電源設(shè)計(jì)中變壓器的飽和問題的原因。對(duì)此，與電感相同。

　　右邊的波型數(shù)據(jù)是變壓器的將一次側(cè)內(nèi)置MOSFET的Ids開展開關(guān)，綠色線為正常，即變壓器未飽和。相較于此，紅色虛線則表示變壓器飽和時(shí)的典型波型。

　　好似以上，變壓器一但飽和，將流過大電流，導(dǎo)致Ids發(fā)生峰值電流，也就是電流急劇提升。電流過大時(shí)，就可能破壞MOSFET。

　　變壓器設(shè)計(jì)時(shí)，測(cè)算一次側(cè)的最大電流Ippk，以開展適合的變壓器設(shè)計(jì)，觀察到像以上波型數(shù)據(jù)般的Ids電流波形時(shí)，就必須重新進(jìn)行變壓器設(shè)計(jì)。變壓器設(shè)計(jì)相關(guān)內(nèi)容請(qǐng)參考這兒。

　　下列總結(jié)了變壓器的飽和的檢查要點(diǎn)和條件設(shè)置。

　　<變壓器的飽和的檢查要點(diǎn)>

　　運(yùn)用示波器和電流探頭等觀查漏極電流Ids的電流波形

　　變壓器飽和時(shí)，Ids上升力度將出現(xiàn)轉(zhuǎn)變，Ids急劇上升

　　其電流升高可能會(huì)引起MOSFET等破壞

　　確定變壓器的飽和時(shí)，請(qǐng)確認(rèn)Ippk等相關(guān)的實(shí)際情況

　　視情況有可能務(wù)必重新進(jìn)行變壓器設(shè)計(jì)

　　<檢查時(shí)的條件設(shè)置>

　　輸入電壓：最小值、最高值(電源啟動(dòng)時(shí)、常態(tài)時(shí))

　　負(fù)載電流：最高值

　　工作溫度：溫度標(biāo)準(zhǔn)的上限及下限溫度